本篇目录：
三极管、MOS管的微变等效电路如何画
1、确定电路的基本结构，根据MOS管的特性，确定电路的基本结构，包括输入、输出和中间级。
2、以下是画出 MOS 小信号等效电路的步骤： 画出 MOSFET 的符号，并标注引脚名称（源极S、栅极G、漏极D）。 在栅极与源极之间画出一个输入电容 Cgs，表示当外部交流信号作用时，栅-源之间会产生一个变化的电荷量。
3、现在常用的微变等效电路画法有以下四种：首尾相接法 如果是全都是首尾相连就一定是串联，如果是首首相连，尾尾相接，就一定是并联。如果是既有首尾相连，又有首首相连，则一定是混联。
4、方法如下：先画交流等效图。方法：将电源和电容短路，其它照画。将三极管用微变等效电路取代。方法：三极管基极和发射极之间用一个电阻取代，流入电流。集电极和发射极间用一个受控电流源取代，受控源电流即可。
5、先画出晶体管的微变等效电路 当输入信号很小时，在静态工作点附近的工作段可认为是直线。当Uce是常数时，ΔUвE与ΔIв之比称为晶体管的输入电阻。在小信号放大区，rье是常数。
高分请教MOS管问题
首先是MOS符号，一楼的说的不错，有很多种表示方法。一般来说，我们都是把右边三条竖线连在一起的，也是比较通用的表示方法。
mos管gs波形有个负压是mos管的驱动电路出现了问题。原因包括：驱动电路中的电容或电阻出现故障，导致栅极电压无法正确地施加到MOS管上。mos管本身存在损坏或质量问题，导致其无法正常工作。
优质的MOS管能够承受的电流峰值更高。一般情况下我们要判断主板上MOS管的质量高低，可以看它能承受的最大电流值。影响MOS管质量高低的参数非常多，像极端电流、极端电压等。
首先 我们看你给的mos管 vds和 id的关系图 。饱和区电流基本不随ugs变化而变化的，也就是图中那个叠在一起的部分。（而恒流区是ugs不变，id不随uds的变化而变化的。
无非就是两种情况：第一，MOS管的内阻太大；第二，MOS管未完全开启，内阻也是很大的。你用的这个MOS管不知道是不是IR原装的？如果是原装的，可能MOS管没有完全开启；如果是国产仿IR的，出现这种问题也是不足为奇的。
mos输入阻抗大(在正常工作范围内可以认为是无限大)，GATE浮空时容易积累压差。而BJT(三极管)输入阻抗小。
图中是什么样的mos管符号
G极吸引MOS的正电荷，电子按轨迹运动，沟道形成，MOS导通，因此图上是P沟道MOS管。
场效应管分为结型(JET)管和绝缘栅型(MOS)管两种，符号如上，你可以想象成将字母J和字母M向左翻转90度，结型管符号好像翻转的J，MOS管右边的三个引出端好像字母M翻转后的三个点。这样就好记忆了。
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
MOS管（MOSFET，金属氧化物半导体场效应晶体管）的引脚标识通常包括： G（Gate，栅极）：这是MOS管的控制引脚。通过在栅极上施加电压，你可以控制MOSFET的通道的导电性，从而打开或关闭它。
这个是P型MOS管，所有N型或P型的MOS管都带有一个反向导通的二极管。
目前，在有些人功率MOSFET管中的G-S极间或者D-S极间增加了保护二极管，以保护管了不至于被静电击穿。这种管子的电路图符号如图6-12所示。
MOS管的小信号等效电路怎么画?
以下是画出 MOS 小信号等效电路的步骤： 画出 MOSFET 的符号，并标注引脚名称（源极S、栅极G、漏极D）。 在栅极与源极之间画出一个输入电容 Cgs，表示当外部交流信号作用时，栅-源之间会产生一个变化的电荷量。
标注电路元件的参数，根据电路的实际参数，标注电路元件的参数，包括MOS管的导通电阻、跨导、栅极电荷等。根据以上步骤，完成MOS小信号等效电路的绘制。
模拟画法：首先明确晶体管的三个端口（假设不考虑mosfet的衬底端口 ）与小信号模型的对应关系。
小信号等效电路是针对电路的交流通路而言的，所以画小信号电路时，首先将电容、直流工作电压源短路，得到交流等效电路，然后将非线性元件（二极管、三极管，主要指三极管）线性化，等效为受控电流源，就得到了小信号等效电路。
mos管串联并联如何画
电流的方向可以决定MOS管串联。从电流的方向可以决定MOS管串联使得源、漏电极；设N0、N1为NMOS管，且电流从X向Z流动。MOS管串联Y即使N1的源，又是N0的漏，把相同区域进行合并。
右边三条线表示漏极（D），衬底（B），以及源极（S），NMOS从上到下是D，B，S，PMOS从上到下是S，B，D 是的，串联的时候，相邻的两个极需要连在一起。接到VDD的是PMOS，接到VSS的是NMOS。
较为简单的方法是两管并联：分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联，最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻，如图所示。其中RR4由漏极电流决定，使其上的压降1V左右即可。
栅的确是用一条长栅连在一起的，小方块应该是打的过孔吧，比如说金属1连到栅的（M1-Gate）的孔，这样方便后面的连线。
方法如下：将多个MOS管的源极连接在一起，漏极连接在一起，形成一个并联结构。在并联结构中，各个MOS管的栅极电压相同。
两个VMOS管串联，行不通。两个VMOS管的栅极控制，可在磁环上绕三组线圈，一组控制级，另两组分别接两个VMOS管的栅源极。注意极性。
到此，以上就是小编对于mosfet画法的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
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