本篇目录：
求电压比较器门限电压的步骤
1、电压比较器门限电压的步骤来说的话，我觉得他们都是店家来说，要符合他们的电压和电流的。
2、门限电压分为上门限电压VPh和下门限电压VPl，计算公式为：VPh等于VREF乘以R2除以(R1加R2)加Voh乘以R1除以(R1加R2)。VPl等于VREF乘以R2除以(R1加R2)加Vol乘以R1除以(R1加R2)。
3、上门限电压：U上=R2/(R1+R2)*Ui+R1/(R1+R2)*比较器正电压。双电压比较器的工作电源电压范围宽，单电源、双电源均可工作，单电源：2~36V。
4、我们将比较器的输出电压从一个电平跳变到另一个电平时对应的输入的最小电压的值，被称为门限电压。
5、这个是迟滞比较器，或者叫 施密特触发器。遇到这样的题目，首选考虑的是计算出门限电压。计算出门限电压就完事儿了。步骤如下：ui*(R2/(R1+R2))+uo(R1/(R1+R2))=3；uo= (正负)6V；得出门限电压是 5V和5V 。
关于mos管的开启电压问题
是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。
问题的实质是：增强型MOS管的栅源电压也可以为0或负，只是这些情况与栅源电压未达到开启电压之前是完全一样的：截止。
这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区） 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。
特别是在高频开关电路中，由于MOS管的开闭时间非常短，因此其输出电压的改变频率较高，更容易产生交变电压。这种现象的频率一般在几十kHz到几百MHz范围内，并会在电路中产生EMI（电磁干扰）噪音。
对的。p沟道增强型mos管的开启电压为负值是对的，因为栅极和衬底间被二氧化硅绝缘层所隔离，在栅极和源极之间加上电压vGS后，虽然会发生电子的迁移，导电沟道截面积的改变，但是不会有栅极电流流通，可以认为栅极电等于零。
P沟道增强型：当UgsUgs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个负数值，最常见的是在-4V ~ -2V之间。N沟道增强型：当UgsUgs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。
如何测量n沟道mos管的开启电压和电导常数
1、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对VMOS管N沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。
2、N沟道MOS场效应管好坏的测量方法 用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。
3、使用万用表测试导通情况：将万用表调至二极管测试档位，将正极接在MOSFET的源极上，将负极接在漏极上，此时如果MOSFET正常，万用表应该显示导通。
4、方法是：红表笔接G脚，黑表笔接D、S脚，电阻值为∞时，是N沟道管；电阻值为5-l0kΩ时，是P沟道管。表笔交换，黑表笔接G极，红表笔接D、S极，当电阻值为∞时，是P沟道管；电阻值为5～l0kΩ时，是N沟道管。
到此，以上就是小编对于mos管限流电路的问题就介绍到这了，希望介绍的几点解答对大家有用，有任何问题和不懂的，欢迎各位老师在评论区讨论，给我留言。
微信扫一扫打赏
